GeO₂具有金红石结构、α石英结构、CaCl₂型、a-PbO₂型、黄铁矿型五种晶体多形。其中金红石结构r-GeO₂具有4.6eV的巨大带隙，理论预测其兼具n型与p型导电特性，因此有望应用于下一代高性能常闭型MOSFET等领域。另一方面，三方晶系α石英结构GeO₂虽具有高达6.2eV的巨大带隙，却同时展现出压电特性。因此，人们期待能利用其压电特性与巨大带隙特性，制备出高耐压高速器件。
低损耗化・小型化
具有较大禁带宽度的半导体材料往往具有较高的绝缘击穿电场强度。然而，根据经验法则，带隙大小与主要载流子浓度之间存在权衡关系，因此带隙越大的材料越倾向于表现为绝缘体，而丧失半导体的电学特性。在新型功率半导体材料研究中，探索能以高平衡度兼顾这两种矛盾特性的材料已成为重要方向。本公司聚焦于当前正积极研发的二氧化锗(GeO₂)，致力于推动其社会应用。
高耐压化
GeO₂具有较大的带隙，且其体材料与薄膜材料均有望以较低成本制备，因此可望开拓现有材料难以实现的高耐压、高功率市场。例如，预计可用于制造超高功率电源和电机、小型逆变器、航天用功率器件以及抗辐射功率器件等。
GeO2半导体是集三种优势于一身的功率半导体。
GeO2半导体产品
(開発中)
6英寸 GeO₂/Si基板
（开发中）
高耐压功率器件
（开发中）
（开发中）
有偿样品
10mm角
GeO₂ on TiO₂基板
（有偿样品提供中）
- 特点：这是具有与二氧化锗相同晶体结构的TiO₂基板上的二氧化锗异质外延基板。
- 用途：适用于基础研究
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