二氧化鍺（GeO2）具有金紅石結構、α石英結構、CaCl2型、α-PbO2型及黃鐵礦型等五種結晶多型。其中金紅石結構r-GeO2具備高達4.6eV的巨大帶隙、理論預測其可呈現n型與p型雙導電特性、因此被寄予厚望應用於次世代高性能常閉型MOSFET等領域。另一方面、三方晶系α石英結構GeO₂雖具備高達6.2eV的巨大帶隙、卻同時展現壓電特性。因此、利用其壓電特性與巨大帶隙特性、可望開發出高耐壓高速元件。
低損耗化・小型化
具有大禁帶寬度的半導體材料往往具備較高的絕緣擊穿電場強度。然而，根據經驗法則，禁帶寬度與主要載子密度之間存在著取捨關係，因此禁帶寬度越大的材料越傾向表現為絕緣體，而喪失半導體的電氣特性。在新型功率半導體材料研究中，尋求能以高度平衡兼具這兩種矛盾性質的材料，已成為重要研究方向。本公司聚焦於當前積極研發的二氧化鍺(GeO₂)，致力推動其社會應用實證。
高耐壓化
GeO₂ 具有寬大的能隙，且無論體材料或薄膜皆可望以低成本製備，因此預期能開拓現有材料難以實現的高耐壓、高功率市場。例如可望實現超高功率電源與馬達的製造、小型逆變器、太空用功率元件、抗輻射功率元件等應用。
GeO2半導體具備三拍子齊備的功率半導體特性
GeO2 半導體產品
(開発中)
6英寸GeO2 on Si基板
(開發中)
功率元件
(開發中)
付費樣品
10mm角
二氧化鍺（GeO₂）於二氧化鈦（TiO₂）基板
（提供付費樣品中）
- 特徵：具有與二氧化鍺相同結晶結構的TiO₂基板上的二氧化鍺異質外延基板。
- 用途：適用於基礎研究
詳情請洽詢。