技术介绍

r-GeO₂属于何种半导体?

我们日常生活中不可或缺的电器设备(如电视机、空调、汽车及工业机械)通过转换和控制电能实现运作。功率半导体在高效转换与控制电能过程中发挥着关键作用。金红石型二氧化锗(r-GeO₂)作为新一代功率半导体材料正受到广泛关注。 与传统材料相比,r-GeO₂有望成为显著降低功率损耗、实现更高效率电力转换的“理想开关”。这得益于其卓越的物理特性:宽带隙特性赋予其高击穿电场能力,且理论预测其可同时实现p型与n型掺杂。基于上述特性,二氧化锗有望在广泛领域实现应用,并为提升能源利用效率作出重大贡献。随着制造技术的进步,其量产之路正逐步铺就。

r-GeO₂基本物理性质表

特性 r-GeO₂
带隙 (eV) 4.45~4.77(实测)
击穿电场 (MV/cm)
电子迁移率 (cm²/Vs)
空穴迁移率 (cm²/Vs)
热导率 (W/m K)
平均热膨胀系数 (/K)(室温 -600℃)((001) 晶面) 3.9×10⁻⁶(实测)*
Baliga 优值(Si=1)
维氏硬度 (Hv)((110) 晶面) 1610(实测)*
杨氏模量 (GPa) 293GPa(实测)*
r-GeO₂(金红石型二氧化锗)的带隙 (eV) 实测值已于 2025 年 9 月 7 日发表。(4.45–4.77,Patentix)
                                  (文献中的带隙值为 4.85–5.63)

*n=1.

留空的物性数值目前正在测量中。一旦获得可公开的数据,我们将及时更新。

r-GeO₂的特性

・高压、低损耗

高击穿电场确保在高压环境下仍能稳定运行,显著降低电力转换过程中的能量损耗。这有助于提高系统效率并抑制发热。

・紧凑轻量化

低损耗特性实现器件微型化,直接助力终端产品节省空间与减轻重量。这增强了设计灵活性,并推动新型应用的开发。

・环保型制造工艺
GeO₂的制造工艺与SiC的升华法(需2000℃以上)不同,可在低于1000℃的薄膜沉积温度下生产。该工艺还无需昂贵的真空环境,显著降低能耗,具有环保特性,并有助于降低制造成本。此外,该材料硬度低于SiC,且不具备氧化镓般的解理特性,使器件制造更为简便。这显著提升了器件制造良率并有效降低了生产成本。

・高品质晶体

可制造大块晶体,并通过同质外延生长获得高品质晶体薄膜。

・助力节能社会建设

降低电力转换过程中的能量损耗,有助于减少二氧化碳排放,推动可持续低碳社会的实现。

・开辟全新应用领域

该技术实现了传统半导体难以实现的大功率、高电压功率控制,推动工业、交通等多个领域实现技术创新。

r-GeO₂半导体的未来挑战

建立p型导电的验证与控制技术
・虽然理论上p型和n型导电均有可能,但p型导电的实验验证仍面临重大挑战。
・目前虽有报道证实n型导电现象,但p型导电仍处于确认其可能性的电学特性阶段。需全面验证两种极性,并开发能稳定实现与控制的掺杂技术。

提升击穿电压与可靠性
・功率半导体需具备高可靠性以承受高电压控制时的电气击穿。
・r-GeO₂具有极大带隙(4.7 eV),暗示其具备高击穿电压潜力。然而,建立抑制击穿现象的技术,并在实际器件运行中防止物理损伤仍面临挑战。

薄膜沉积技术与高品质晶体生长
・制造半导体器件时,必须掌握高品质薄膜沉积技术和缺陷极少的单晶生长技术。
・对于新型材料r-GeO₂,必须优化适用于量产且质量稳定的专有薄膜沉积工艺,并确保与基底材料的兼容性。

器件结构优化与评估
・在确认材料基本特性后,需设计制造晶体管等器件结构,并详细评估其电学特性。
・确立能最大化理论潜能的最佳器件结构与工艺技术,是实现实用化的关键。通过攻克这些挑战,r-GeO₂有望超越SiC、GaN等现有宽禁带半导体,作为终极节能器件应用于输电、电动汽车等领域。

r-GeO₂衬底实际应用中的挑战

・需要至少6英寸的大直径衬底。
为使功率器件制造商能够使用r-GeO₂衬底生产功率器件,必须提供尺寸适配现有生产设备(6英寸及以上)的r-GeO₂衬底。

・向6英寸独立衬底(体衬底)的过渡存在困难。
要获得6英寸r-GeO2独立衬底,需生长直径达100毫米以上的单晶锭。然而当前单晶直径仅约5毫米,实现6英寸基板需漫长研发周期。加之原料锗价格飙升,即便成功制备6英寸r-GeO₂独立基板,基板成本降低仍面临挑战。

・适用于大面积制造与低成本生产的硅基底GeO₂
若能在廉价硅基底上异质外延生长单晶r-GeO₂薄膜,可大幅减少二氧化锗原料消耗。这使得新一代半导体r-GeO₂基底的制备成本低于现有碳化硅基底。此外,通过在硅衬底上采用导电材料作为缓冲层——这是实现r-GeO₂单晶薄膜异质外延生长的关键——我们致力于实现硅衬底上的GeO₂。这将促进垂直器件结构的实现,该结构是功率器件中的常见配置。

・用于超高性能功率器件的半英寸r-GeO₂悬浮衬底
目前正致力于开发尺寸达半英寸(0.5英寸)的r-GeO₂悬浮衬底。除满足高校及研究机构的基础科研需求外,该悬浮衬底凭借其卓越的晶体质量,有望应用于传统材料难以企及的领域,例如超高电压功率器件及抗辐射功率器件。

预期应用领域


电动汽车(EV)/轨道交通

功率转换效率的提升有助于延长电动汽车续航里程、缩短充电时间,并实现逆变器的小型化与轻量化。该技术同样应用于轨道车辆的电力系统。


可再生能源

应用于太阳能和风力发电的电力调节器,最大化转换效率并降低传输损耗,从而加速清洁能源的普及。工业设备


工业设备
应用于工厂内的电机控制和供电设备,助力实现全系统节能。

 


数据中心

应用于数据中心的服务器电源,助力实现全系统节能。


家用电器

内置于空调、冰箱等家电的变频器中,显著降低能耗。助力实现更高性能、更环保的家用电器。


各类电源设备

从智能手机充电器到工业电源,我们通过实现所有电源转换设备的高效率与小型化,推动能源利用的优化。