・高電壓、低能量損耗

高擊穿電場確保即使在高壓環境下仍能穩定運作，大幅降低電力轉換過程中的能量損耗。此特性有助提升系統效率並抑制發熱。

・輕巧緊湊

低損耗特性使裝置得以微型化，直接為終端產品節省空間與減輕重量。此特性提升設計彈性，並促進新應用領域的發展。

・環保製造製程

GeO₂製造工藝有別於SiC的昇華法（需超過2000℃），可在低於1000℃的薄膜沉積溫度下生產。同時免除昂貴真空環境需求，大幅降低能耗，兼具環保效益與製造成本優勢。此外，其硬度低於碳化矽，且不具備氧化鎵般的解理特性，使元件製程更為簡便。此特性顯著提升元件製造良率並降低生產成本。 

・高品質晶體

可製造塊狀晶體，並透過同質外延生長技術實現高品質晶體薄膜。

・助力節能社會

降低電力轉換過程中的能量損耗，有助減少二氧化碳排放，推動實現永續低碳社會。

・開拓嶄新應用領域

實現傳統半導體難以達成的高功率、高電壓電力控制，驅動工業、交通等多元領域的技術創新。