・高压、低损耗

高击穿电场确保在高压环境下仍能稳定运行，显著降低电力转换过程中的能量损耗。这有助于提高系统效率并抑制发热。

・紧凑轻量化

低损耗特性实现器件微型化，直接助力终端产品节省空间与减轻重量。这增强了设计灵活性，并推动新型应用的开发。

・环保型制造工艺

GeO₂的制造工艺与SiC的升华法（需2000℃以上）不同，可在低于1000℃的薄膜沉积温度下生产。该工艺还无需昂贵的真空环境，显著降低能耗，具有环保特性，并有助于降低制造成本。此外，该材料硬度低于SiC，且不具备氧化镓般的解理特性，使器件制造更为简便。这显著提升了器件制造良率并有效降低了生产成本。

・高品质晶体

可制造大块晶体，并通过同质外延生长获得高品质晶体薄膜。

・助力节能社会建设

降低电力转换过程中的能量损耗，有助于减少二氧化碳排放，推动可持续低碳社会的实现。

・开辟全新应用领域

该技术实现了传统半导体难以实现的大功率、高电压功率控制，推动工业、交通等多个领域实现技术创新。