Patentix株式会社の主な事業は、新規次世代パワー半導体 r-GeO₂（ルチル型二酸化ゲルマニウム）のエピウエハ（基板）の研究開発、製造、および販売です。
私たちは、 r-GeO₂ウエハを供給することで、電力利用効率を飛躍的に向上させ、GX（グリーントランスフォーメーション）の実現に貢献します。
r-GeO₂半導体の期待されるメリット
高耐圧・低損失
高い絶縁破壊電界により、高電圧環境下でも安定動作し、電力変換時のエネルギー損失を大幅に削減。
これにより、システムの高効率化と発熱抑制に貢献します。
これにより、システムの高効率化と発熱抑制に貢献します。
小型・軽量化
低損失特性は、デバイスの小型化を可能にし、最終製品の省スペース化、軽量化に直結します。
これにより、設計の自由度が向上し、新たなアプリケーションの創出を促します。
これにより、設計の自由度が向上し、新たなアプリケーションの創出を促します。
環境負荷の少ない製造プロセス
GeO₂の製造プロセスは、SiCの昇華法（2000°C超）とは異なり、成膜温度が1000度以下での製造が可能であり、高価な真空環境も不要なため、莫大な電力消費を抑え、環境に優しく製造コストの低減につながります。また、SiCほど硬くなく、酸化ガリウムのような劈開性がないため、半導体加工が容易で、デバイス製造の歩留まり向上とコスト削減に大きく貢献します。
省エネ社会への貢献
電力変換時のエネルギー損失の低減はCO₂排出量の削減に寄与し、持統可能な低炭素社会の実現に貢献します。
新たなアプリケーションへの創出
これまでの半導体では難しかった高出力・高耐圧の電力制御を可能にし、産業、交通など様々な分野で新たな技術革新を促進します。
GeO2 半導体製品
(開発中)
有償サンプル
10mm角
GeO₂ on Si基板
(有償サンプル提供中)
商品写真（参考写真）
仕様
- 特長：安価なSi基板上に二酸化ゲルマニウム結晶を成長させたヘテロエピ基板です。導電性バッファ層を採用することで縦型デバイスの研究開発に適しています。
- 用途：パワーMOSFET、SBDなど。SiCよりも安価な基礎研究向け
10mm角
GeO₂ on SiC基板
(有償サンプル提供中)
商品写真（参考写真）
仕様
- 特長：高い熱伝導率を誇るSiC基板上に成長させた二酸化ゲルマニウムヘテロエピ基板です。
- 用途：パワーMOSFET、SBDなど。放熱性が重要となる基礎研究向け。
10mm角
GeO₂ on TiO₂基板
(有償サンプル提供中)
商品写真（参考写真）
仕様
- 特長：二酸化ゲルマニウムと同じ結晶構造を有するTiO₂基板上の二酸化ゲルマニウムヘテロエピ基板です。
- 用途：基礎研究向け
- ドーピング：アンチモン (Sb) 不純物による n 型ドーピングが可能。
【有償サンプルのご案内】
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