GeO2半導体は三拍子そろったパワー半導体
GeO2 半導体製品
(開発中)
有償サンプル
GeO₂ on Si基板
(有償サンプル提供中)
- 特長：安価なSi基板上に二酸化ゲルマニウム結晶を成長させたヘテロエピ基板です。導電性バッファ層を採用することで縦型デバイスの研究開発に適しています。
- 用途：パワーMOSFET、SBDなど。SiCよりも安価な応用研究向け
GeO₂ on SiC基板
(有償サンプル提供中)
- 特長：特長:高い熱伝導率を誇るSiC基板上に成長させた二酸化ゲルマニウム ヘテロエピ基板です。
- 用途：パワーMOSFET、SBDなど。放熱性が重要となる応用研究向け。
GeO₂ on TiO₂基板
(有償サンプル提供中)
- 特長：二酸化ゲルマニウムと同じ結晶構造を有するTiO₂基板上の 二酸化ゲルマニウムヘテロエピ基板です。
- 用途：基礎研究向け
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