ホーム
会社紹介
事業紹介
技術紹介
採用情報
お問合せ
▶ English
ホーム
会社紹介
事業紹介
技術紹介
採用情報
お問合せ
▶ English
事業紹介
GeO
2
半導体は三拍子そろったパワー半導体
01
Feature 01
ドーピングによる
p 型 n 型制御
ノーマリーオフ MOSFET,IGBT
02
Feature 02
安価なバルク基板
安価な製膜方法
03
Feature 03
パワー半導体としての
高いポテンシャル UWBG 半導体
GeO
2
半導体製品
6inch GeO2 on Si基板 (開発中）
高耐圧パワーデバイス（開発中）
15mm角 GeO2エピ基板 (有償サンプル提供中)
GeO
2
研究成果
世界初 ルチル型二酸化ゲルマニウム結晶によるショットキーバリアダイオード動作を確認
“世界初”ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜にてN型導電性を確認 ―半導体デバイス開発へ大きく前進！―
【世界初】ファントム局所的気相成長法で4インチウエハ上への二酸化ゲルマニウム製膜に成功
【世界初】ファントム局所的気相成長法で炭化ケイ素への ルチル構造二酸化ゲルマニウム製膜に成功
