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Patentix株式会社
滋賀県草津市野路東1丁目1-1 立命館大学BKCインキュベータ






    Q & A

    全般

     

    Q : 社名の由来と意味は?
    A : Patent(特許)+X(未知の可能性)を掲げ、2022年12月に学校法人立命館発のベンチャーとして
    Patentix株式会社を設立しました。
    Q : 本社・事業所はどこか?
    A :本社:滋賀県草津市野路東1-1-1立命館大学BKCインキュベータ
    事務所①:滋賀県草津市野路東7丁目3-46滋賀県立テクノファクトリー3号棟
    事務所②:滋賀県草津市野路東7丁目3-46滋賀県立テクノファクトリー9号棟

    Q :現在の資本金額は?
      A :5,000万円(2025年10月末現在)

    Q :現在の役員数は?
    A :会社紹介役員の欄をご覧ください
    Q :マイルストーンについて教えてほしい
    A :25年中に10mm角サンプルの出荷を目指しています。27年には6インチウェハのサンプル出荷を目指しています。
    Q :ターゲットアプリケーションは何か?
    A :エアコン・テレビなどの民生機器、車載、産業機器など

    半導体事業について

    Q :Patentixの主な製品は?
    A : 新規半導体材料GeO₂エピウエハ、GeO₂デバイス
    Q : 競合品は何か?
    A :SiC、酸化ガリウム、ダイヤモンド
    Q : 二酸化ゲルマニウム半導体はどのようなデバイスに使われるか?
    A :電力を制御・変換する際に使われるパワー半導体デバイス(パワーデバイス)に使われることを目指しています。
    Q : なぜr-GeO₂半導体が必要なのか?
    A :r-GeO₂はSiCの3.3eVを上回る約4.7eVバンドギャップを有しており、高い絶縁破壊電界が期待できます。
    絶縁破壊電界が高い半導体材料でデバイスを作ることで、高耐圧と低抵抗を両立させたパワーデバイスの実現が期待できます。
    Q :他の材料と比較してr-GeO₂はどこが優れているのか?
    A :r-GeO₂の他には、酸化ガリウム(Ga2O3)やダイヤモンドといった材料の研究が進められていましたが、これらのライバルとなる超ワイドバンドギャップ半導体材料では、多くの半導体デバイスに必須となる、「p型n型の両伝導」を実現することが困難でした。
    r-GeO₂は、超ワイドバンドギャップ半導体には珍しくp型n型の両方を実現可能な材料であると理論的に予測されています。
    Q :なぜp型n型の両方ができるのか?
    A :結晶中の酸素原子同士の距離が、他の酸化物材料に比べて短いためp型伝導を実現できる、とする第一原理計算による研究結果が報告されています。
    Q :二酸化ゲルマニウムは水に溶けませんか?
    A :アモルファス(不規則な原子配列の固体)は水に溶けますが、ルチル構造のGeO₂は安定で溶けません。
    Q :加工は難しいか?
    A :SiCよりも結晶が柔らかいことを確認しています。また、劈開しやすいことも確認されていません。
    Q :基板価格は高額になるか?
    A :シリコン基板上にr-GeO₂の結晶を成膜した「GeO₂ on Si基板」の実現を目指しています。
    安価なSi基板を用いることと、GeO₂の結晶膜は10um程度あれば良いので材料コストを低減できるため、SiCよりも安価な基板価格を目指しています。
    Q :GeO₂ on Si基板は、横型パワーデバイスが目標となるか?
    A :導電性バッファ層を採用することで、縦型パワーデバイスに適した基板を目指しています。

    ライセンス事業について

    Q : Patentixの知財戦略は?
    A : オープンイノベーション戦略を取っております。弊社は研究開発型ベンチャーであり、知的財産権の取得には力を入れておりますが、一方で半導体ということで、技術も幅広く多岐にわたり、企業連携も必須となってきます。そのため、オープンイノベーション戦略が必要になってきます。