日: 2023年9月20日

World’s first successful deposition of rutile-structured germanium dioxide (r-GeO₂) on SiC by PhantomSVD（Phantom spatial vapor deposition）method.

　　　 Successful crystal growth of r-GeO2 t…

【世界初】PhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法でＳｉＣへのルチル構造二酸化ゲルマニウム(ｒ-GeO2)製膜に成功

　　　【世界初】Phantom SVD(ファントム局所的気相成長)法でSiCへの…