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2025年6月19日 Patentix株式会社（本社：草津市、代表取締役社長：衣斐豊佑）は、「関西みらいベンチャーアワード『みらいway 2025』」において、優秀賞ならびにオーディエンス賞を賜りましたことをご報告申し上げます。本アワードは、革新的な技術やビジネスモデルに挑戦するスタートアップ企業が登壇するピッチイベントであり、審査員の皆さまおよびご参加いただいた方々から貴重なご意見と応援をいただきながら、当社の取り組みをご評価いただきました。今回の受賞は、日頃よりご支援くださる皆さまのお力添えの賜物であり、心より感謝申し上げます。今後も、社会課題の解決と持続可能な成長に向けて、一歩一歩着実に取り組んでまいります。引き続き、温かいご指導とご支援を賜りますよう、何卒よろしくお願い申し上げます。 ⸻ 【本件に関するお問い合わせ】 Patentix株式会社 TEL：077-599-1558 Email：ptx_kanri@patentix.co.jp URL：https://www.patentix.co.jp    

このたび、国内有数のピッチイベント「Morning Pitch」への登壇が決定いたしました。Morning Pitchは、急成長を遂げるスタートアップと、大手企業・投資家との出会いを創出する場として、多くのイノベーションを生み出してきたイベントです。当日は、当社のサービス／プロダクトの革新性、市場での展開状況、そして今後の成長戦略について、営業部長　國枝よりプレゼンテーションを行います。 ▼登壇概要  日時：6月19日（木）朝7:00〜9:15  会場：「Global Business Hub Tokyo」（またはLIVE配信あり）  テーマ：高性能次世代パワー半導体向け新素材を開発する二酸化ゲルマニウム（GeO₂）デバイスの社会実装今回の登壇を通じて、より多くの方々に当社の想いと技術力を知っていただき、新たなパートナーシップ・事業連携へとつなげてまいります。ご参加いただける方は、ぜひ現地または予約者限定のLIVE配信でご覧ください。皆さまとお会いできることを楽しみにしております。 https://morningpitch.com/startups/33452/

TECHNO-FRONTIER2025出展のご案内   このたび、当社は 「TECHNO-FRONTIER2025」 に出展する運びとなりました。 弊社の最新情報を直接ご覧いただける貴重な機会です。 ぜひお立ち寄りください！ ⸻展示会名：TECHNO-FRONTIER2025 開催日時：7月23日（水）•24日（木） •25日（金） 10時～17時 会　　場：東京ビックサイト会場（アクセス：国際展示場駅からは徒歩約7分、東京ビッグサイト駅からは徒歩約3分） パワーエレクトロニクス技術展　西4ホール、ブース番号：4ｰAA34 ⸻ご来場の際は、事前にご連絡いただけますと、よりスムーズにご案内が可能です。 皆さまとお会いできることを、心より楽しみにしております！何卒よろしくお願い申し上げます。

  2025年６月19日（木）第2回「関西みらいベンチャーアワード『みらいWay』」が 開催されます。 当社は上位１０社のファイナリストに選出されました。 当日は、代表取締役社長　衣斐　豊祐が登壇予定です。   会場：グランフロント大阪北館 ナレッジキャピタル4階 ナレッジシアター 日時：2025年6月19日(木)13時00分～17時35分（12時30分開場） https://www.kansaimiraibank.co.jp/hojin/miraiway/

平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。 誠に勝手ながら、以下の期間をゴールデンウィーク休業とさせていただきます。 期間中は何かとご迷惑をおかけしますが、何卒ご了承の程宜しくお願い申し上げます。   【ゴールデンウィーク休業】　2025年4月29日（火）～2025年5月6日（火）   なお、2025年5月7日（水）より通常通り営業いたします。 ご迷惑をお掛けいたしますが、何卒ご理解賜りますようよろしくお願い申し上げます。

2025年1月28日付の日本経済新聞の記事内で、当社が取り上げられました。 記事タイトル：琵琶湖まわりに半導体産業集積　立命館大学発新興が「新工場」   日本経済新聞　電子版 https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUF1120B0R10C25A1000000/  

平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。 誠に勝手ながら、以下の期間を年末年始休業とさせていただきます。 期間中は何かとご迷惑をおかけしますが、何卒ご了承の程宜しくお願い申し上げます。   【年末年始休業】　2024年12月27日（金）～2025年1月5日（日）   なお、2025年1月6日（月）より通常通り営業いたします。 ご迷惑をお掛けいたしますが、何卒ご理解賜りますようよろしくお願い申し上げます。

7月19日に開催されました、中小企業基盤整備機構主催「FASTAR ９th DemoDay」のイベントレポートが公開されました。 当社は『モバイル・インターネットキャピタル賞』『オーディエンス賞』のダブル受賞を果たしました。 今後も半導体を用いて世界のエネルギー問題に対処し、持続可能な社会の実現に寄与してまいります。   ※FASTAR 独立行政法人 中小企業基盤整備機構のスタートアップ支援事業   イベントレポート前編 https://fastar.smrj.go.jp/events/detail_20240924_01.html イベントレポート後編 https://fastar.smrj.go.jp/events/detail_20240924_02.html  

  Patentix株式会社はこの度、ドーパント不純物を添加することによりルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)薄膜のN型伝導性を世界で初めて確認しました。この成果により、本格的な半導体デバイスの開発を開始することが可能となり、パワー半導体への実用化に大きく前進しました。   【背景】 普段使用している様々な家電製品や機械設備、EVなどの電源はパワー半導体で変換した電力を用いて動いています。この電力変換の時に電気エネルギーが熱として損失となることが脱炭素社会の実現の障壁となっています。これを解決するためにはパワー半導体の材料であるシリコン(Si)から、炭化ケイ素(SiC)などのワイドバンドギャップ材料への置き換えが必要です。r-GeO2は、バンドギャップが4.6eVとSiの1.1eVやSiCの3.3eVと比べ非常に大きな値を持つため非常に低損失なパワー半導体の作製が可能です。近年実用化が進んでいるSiCはSiよりも約40%の省エネ効果があるとされていますが、r-GeO2はさらにその90%程度の省エネ効果があると理論的に示されています。 このように、非常に魅力的な物性を持つr-GeO2ですが、これまでは高品質な単結晶膜を作製することが難しいため、あまり研究対象として注目されていませんでした。また、半導体に不可欠なドーピング不純物による導電性の制御手法が確立されておらず、本格的な半導体デバイスの開発が進んでいませんでした(不純物の少ない半導体は、伝導性が極めて低いですが、ドーパントと呼ばれる不純物を微量に添加することで飛躍的に伝導性が上がります。半導体デバイスではドーパントの添加量により導電性の制御をしています)。   【成果】 弊社はPhantom SVDという高品質な薄膜作製技術を独自に開発し、これまで困難であった高品質なr-GeO2薄膜の作製に成功しています。この度、さらに改良を加えることで均質性の高い薄膜結晶を作製することが出来ました(図1)。 図1:TiO2基板上に作製した均質なr-GeO2薄膜の写真   今回の成果はこの均質性の高い膜にドーパントの添加量を3水準変えた試料を作製しホール効果測定により導電性の確認を行いました。その結果を表1に示します。ホール効果測定により、すべての試料でN型の導電性を確認しました。r-GeO2薄膜にてN型の導電性を確認したことは世界初の成果となります。また、キャリア濃度についてもドーパントの添加量を制御することでキャリア濃度1018～1020 範囲で制御出来ております。本成果は、半導体デバイス作製には必須の技術であり、材料開発から実用化に向けたデバイス開発へ大きく舵を切っていくことが出来ます。本測定の正確性については、ホール起電力の値が強く表れ、Ｆ値が１と測定誤差が小さく対称性の良い値が得られているため信頼性の高い結果が得られたことを示しています。   ＊ホール起電力とは、ホール効果を利用した測定で生じる電圧です。 ＊Ｆ値とは、主にホール効果の測定精度に影響を与える補正係数の一種です。測定誤差を減らし、実際の材料特性を正確に反映するために必要な係数です。Ｆ値が１に近い値を示す場合、理想的な試料の状態を意味します。   【将来展望】 今回の成果により、弊社ではr-GeO2の半導体デバイス開発を本格的に進めていきます。当初は、構造の簡便なショットキーバリアダイオードの試作を進め、r-GeO2の省エネ性能などの基本的な特性評価を行います。また、HEMT(High Electron Mobility Transistor)やFET(Field Effect Transistor)等の各種トランジスタの開発も進めていきます。