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株式会社アイシン、琵琶湖半導体構想(案)に参画

株式会社アイシン、琵琶湖半導体構想(案)に参画   立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社(本社:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐、以下「PATENTIX」)は、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとともに共同で研究開発しているGeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進しています。この度、琵琶湖半導体構想(案)に株式会社アイシン(本社:愛知県刈谷市、取締役社長:吉田 守孝、以下「アイシン」)が参画を表明しましたので、お知らせいたします。今回の参画により、日本発で世界にリードできる最先端半導体材料(GeO2半導体等)の社会実装に向け、アイシンの協力を得て、研究開発及び企業連携をより一層推進してまいります。 ※琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までをも網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。2023年12月14日のプレスリリースでは、株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社と、PATENTIXとがそれぞれ資本業務提携を行いました。引き続き、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に勝てる先端半導体産業の実現に寄与してまいります。  

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半導体の可能性をさらに拡げる Ga₂O₃ on Diamondに成功 ~PhantomSVDにて酸化ガリウムをダイヤモンド半導体上に製膜~

P&Q_酸化ガリウムダイヤモンド半導体特許プレスリリース20240214P&Q_酸化ガリウムダイヤモンド半導体特許プレスリリース20240214

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株式会社東レリサーチセンター、琵琶湖半導体構想(案)に参画

株式会社東レリサーチセンター、琵琶湖半導体構想(案)に参画   立命館大学発ベンチャーの Patentix 株式会社(本社:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐、以下「PATENTIX」)は、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとともに共同で研究開発している GeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進しています。この度、琵琶湖半導体構想(案)に株式会社東レリサーチセンター(本社:東京都中央区、代表取締役:吉川正信、以下「TRC」)が参画を表明しましたので、お知らせいたします。今回の参画により、日本発で世界にリードできる最先端半導体材料(GeO2半導体等)の社会実装に向け、TRCの協力を得て、研究開発及び企業連携をより一層推進してまいります。   ※琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までをも網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。2023 年 12 月 14 日のプレスリリースでは、株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社と、PATENTIX とがそれぞれ資本業務提携を行いました。引き続き、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に勝てる先端半導体産業の実現に寄与してまいります。        

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【世界初】新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体デバイスの開発に成功 ―r-GeO2パワーデバイスの実現に大きく前進―

【世界初】新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体デバイスの開発に成功 ―r-GeO2パワーデバイスの実現に大きく前進―   立命館大学総合科学技術研究機構 金子健太郎 教授/RARAフェロー(Patentix社CTO兼務)と、立命館大学発のディープテックベンチャーPatentix株式会社 (代表取締役社長:衣斐豊祐)、京都大学院工学研究科 高根倫史 博士後期課程学生、田中勝久 同教授、物質・材料研究機構(NIMS)大島孝仁 主任研究員、原田尚之 同独立研究者は共同で、次世代半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)系混晶半導体デバイスの開発に世界で初めて成功しました。   Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体(UWBG)材料である二酸化ゲルマニウム(GeO2)を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、酸化物半導体パワーデバイスの社会実装を大きく前進させるものです。     * 発表概要 r-GeO2は、4.6eVの大きなバンドギャップをもつと同時に、pn両型伝導が可能であるという理論的な予測がなされており、さらにバルク結晶の成長が可能である事から、低損失かつ高耐圧のパワーデバイスを実現する次世代パワー半導体材料として注目を集めています。 本研究では、r-GexSn1-xO2混晶半導体薄膜を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の試作を行い、電流-電圧測定等の電気特性評価を行ったところ、ショットキー特性を示す事を、r-GeO2系混晶として世界で初めて確認しました。今後、パワーデバイスへの応用を目指した、r-GeO2をはじめとするルチル型酸化物半導体に関する研究・開発のさらなる発展が期待されます。   社会的重要性 Ga2O3やダイヤモンド、AlN、BNなどのUWBG半導体は大きな絶縁破壊電界値をもつため、低損失かつ高耐圧のパワーデバイスの実現が期待されています。しかしながら、UWBG半導体は、その巨大なバンドギャップのためp型とn型のキャリアタイプ制御が困難であり、さらにホモエピタキシャル成長用の基板が高価であることが、社会実装可能なデバイスの開発や応用における大きな障壁となっています。 近年、新規UWBG半導体としてルチル型構造のGeO2(r-GeO2)が、これらの問題を克服する新たなパワー半導体材料として大きな注目を集めています。電力変換損失が小さい高性能なパワー半導体の登場は、AIやスマート機器の普及にともなう電力消費の急増が著しい現代社会において大変重要です。電気自動車(EV)や電力システム等の大幅な省エネ・小型化への実現が期待され、持続可能で環境にやさしい社会インフラの実現に本研究は大きく貢献できると期待されます。     今回の成果及び今後の予定   本成果は下記内容でApplied Physics Expressにて掲載予定です。 “Rutile-type GexSn1-xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device…

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Patentix株式会社×株式会社クオルテック資本業務提携を締結、調印式を実施 「立命館大学発のGeO2半導体を社会実装する」

Patentix株式会社(本社:滋賀県草津市、代表取締役社長:衣斐豊祐、以下「PATENTIX」)は、「信頼性評価事業」において自動車、自動車部品、エレクトロニクスメーカー向けに半導体・電子部品の外部評価を提供している株式会社クオルテック(本社:大阪府堺市、代表取締役社長:山口友宏、以下「クオルテック」)との間で、資本業務提携を締結し、2023年12月19日(火)にクオルテック本館にて、調印式を執り行いました。   調印式には、PATENTIX からは代表取締役社長 衣斐豊祐氏、取締役CTO 金子健太郎氏、取締役 清水悠吏氏の3名、クオルテックから代表取締役社長 山口友宏氏、取締役管理本部長 池田康稔氏、新規事業開発室長 森本孝貴氏の3名が参加いたしました。   調印式後には、PATENTIXの事業内容やGeO2の今後の可能性について講演を執り行いました。講演中で、衣斐氏は「今回の提携や琵琶 湖半導体構想(案)によって、GeO2の社会実装に繋がることを期待しております。双方にとって有意義な提携となることを楽しみにしており ます」と挨拶。金子氏からは「新しいパワー半導体材料時代の幕開けです。GeO2がもたらす新しい時代が目の前まで来ています」との力強いお言葉をいただきました。    PATENTIXは、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体(UWBG)材料であるGeO2(二酸化ゲルマニウムを用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。今後、Patentix株式会社では、GeO2パワー半導体の社会実装を目指した研究開発をさらに進めてまいります。 クオルテックは「信頼性評価事業」において自動車、自動車部品、エレクトロニクスメーカー向けに半導体・電子部品の外部評価を提供してまいりました。中でもパワー半導体の評価、解析は多数の対応実績がございます。パワー半導体モジュールに使われる各部材の接合信頼性を評価するパワーサイクル試験においては、自社で試験機の製造・販売も担っており、受託試験と合わせてお客様の開発効率の向上に貢献しております。   今回の調印式は、12月14日付ニュースリリースの株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社との資本業務提携に伴うものになります。 (参考:株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社との資本業務提携に関するお知らせ ~琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進~) 以下URL: https://www.patentix.co.jp/%e6%a0%aa%e5%bc%8f%e4%bc%9a%e7%a4%be%e3%82%af%e3%82%aa%e3%83%ab%e3%83%86%e3%83%83%e3%82%af %e5%8f%8a%e3%81%b3%e6%97%a5%e9%9b%bb%e7%b2%be%e5%af%86%e5%b7%a5%e6%a5%ad%e6%a0%aa%e5%bc%8f%e4%bc%9a%e7%a4%be/  

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「経済界 Golden Pitch 2023」で審査員特別賞を受賞

2023年12月22日(金)に、Patentix(パテンティクス)株式会社(所在地:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐)が「経済界 Golden Pitch 2023」の「審査員特別賞」を受賞したことが発表されました。   本ビジネスアワードは、株式会社経済界が2011年より日本の起業家を発掘・支援する目的で開催しており、過去12年間の受賞者の累計調達額は180億円を超え、上場やM&Aなど、日本を代表する起業家を輩出しています。   2023年11月22日(水)、Patentix(パテンティクス)株式会社が、スタートアップ・ベンチャー企業の表彰アワード「経済界 Golden Pitch 2023」のファイナリスト10名に選出され、ファイナル審査において、共同創業者で取締役CTOである金子健太郎氏(立命館大学総合科学技術研究機構教授/RARAフェロー)が、ピッチを行いました。     Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体(UWBG)材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。今後、Patentix株式会社は資金調達を行い、研究開発をより促進してまいります。   本件に関するお問い合わせ先:   Patentix株式会社 広報担当:清水 TEL. 0775-99-1558 Email. y.shimizu@patentix.co.jp  

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株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社との資本業務提携に関するお知らせ

株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社との資本業務提携に関するお知らせ ~琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進~   立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社(本社:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐、以下「PATENTIX」)は、株式会社クオルテック(本社:大阪府堺市、代表取締役:山口友宏、以下「クオルテック」)及び日電精密工業株式会社(本社:岐阜県大垣市、代表取締役:吉田圭二、以下「日電精密」)を引受先とする第三者割当増資を実施することとし、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとともに共同で研究開発しているGeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、資本業務提携を行いましたのでお知らせいたします。   1.資本業務提携の背景 GeO2半導体は立命館大学の金子健太郎教授の研究成果の一つであり、GeO2半導体等の最先端の超ワイドバンドギャップ半導体(以下「先端半導体」という)は、エネルギー損失の大幅な削減や小型化、新規用途(例えば、超高出力電源やモーターの作製、宇宙用パワーデバイス、耐放射線用パワーデバイス等)の開発を可能とする大変魅力的な材料として期待されています。しかしながら、先端半導体の社会実装は、数多くの困難を伴うものであり、とりわけ、技術的な課題が多く、これらを解決するには、世界最高の技術力が必要不可欠です。今回、先端半導体の社会実装のなかでも特に困難な課題を有する半導体エピウエハの早期供給に向け、世界に誇れる技術を有するトップランナー3社が連携することになりました。   2.資本業務提携の内容 今回の資本業務提携により、クオルテックは先端半導体(GeO2半導体)の研究開発・製造・分析試験評価を行い、日電精密は、半導体製造装置及びその部品の設計・開発を行ってまいります。そして、PATENTIXとクオルテックは共同で、先端半導体(GeO2半導体)エピウエハ及び先端半導体(GeO2半導体)デバイスの研究開発を進め、PATENTIXと日電精密は共同で、半導体製造装置の開発・改良を進めてまいります。これにより、先端半導体(GeO2半導体)エピウエハの早期供給を実現してまいります。   3.琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までをも網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。今回の資本業務提携により、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に勝てる先端半導体産業の実現に寄与します。 【Patentix株式会社の概要】 名称:Patentix株式会社 本社所在地:滋賀県草津市野路東1丁目1番1号 立命館大学BKCインキュベータ 代表者:代表取締役社長 衣斐 豊祐 設立:2022年12月1日 資本金:1,000千円(2023年11月末時点)   【株式会社クオルテックの概要】 名称:株式会社クオルテック 本社所在地:大阪府堺市堺区三宝町4丁230番地 代表者:代表取締役社長 山口 友宏 設立:平成5年1月18日 資本金:3億9,210万円   【日電精密工業株式会社の概要】 名称:日電精密工業株式会社 本社所在地:岐阜県大垣市三塚町336-1 代表者:代表取締役社長 吉田 圭二 設立:1949年(昭和24年) 資本金:8,880万円  

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【当社PR動画の公開】「第3回Challennge万博『いのち輝く未来社会』へ」にて金子健太郎教授(RARAフェロー/当社取締役CTO)が登壇されました。

2023年11月21日及び22日、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授/RARAフェローが設立したPatentix(パテンティクス)株式会社がKSII×SMBC主催の「第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ」に出展し、金子健太郎教授(RARAフェロー/当社取締役CTO)が立命館大学での研究成果発信のため登壇しました。 また、KSII、SMBCによる「第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ」のスペシャル動画サイトにおいて、弊社のPR動画が公開されました。 このイベントは、2025年大阪・関西万博で世界から注目を集める関西の主要25の大学と大学発スタートアップが東京に集結し、2025年大阪・関西万博が目指す未来を体感する取り組みです。今回、金子教授は、「二酸化ゲルマニウム」(GeO₂)を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発」に関する成果を発表しました。     関連サイト: 第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ 第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ -Startups Introduction-  

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【世界初】Phantom SVD(ファントム局所的気相成長)法で4インチウエハ上への二酸化ゲルマニウム(GeO2)製膜に成功

― 薄膜の大面積化実現に大きく前進― 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとPatentix株式会社(所在地:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐)は、共同で、二酸化ゲルマニウム(GeO2)をPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法によって、4インチウエハ上に製膜することに世界で初めて成功しました。 Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体(UWBG)材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化できる可能性を示す大きな成果となりました。   1.概要 ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)と比べてさらに大きなバンドギャップをもつため、r-GeO2によるトランジスタやダイオードは高耐圧、高出力、高効率(低損失)という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています。r-GeO2パワーデバイスの開発は日本が世界をリードしており、Patentix株式会社では2022年12月会社設立以降、r-GeO2の研究開発を進めております。 また、Patentix株式会社では、独自に開発したPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法を用いて製膜しており、PhantomSVDは、安全安価な原料溶液を用いることができコストパフォーマンスに優れています。また、従来の霧(ミスト)状にした溶液を用いるCVD法とは異なる原理で結晶成長が可能であり、より高品質かつより安全・安心な薄膜合成が可能となります。   2.今回の成果及び今後の予定 立命館大学およびPatentix株式会社は、共同で、次世代半導体材料として注目される「二酸化ゲルマニウム(GeO2)」をPhantom SVD(ファントム局所的気相成長)法によって、4インチウエハ・Si(100)上に製膜することに世界で初めて成功しました。この成果は、2023年11月15日~17日に立命館大学・朱雀キャンパスで開催される半導体実装技術に関する国際学会「IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)2023」において、プラチナスポンサーである当社ブースにて発表され、二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化の可能性を示す大きな成果となりました。 今後は、GeO2薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なGeO2エピ製膜技術の開発を進めてまいります。 写真の説明:4インチウエハ上に成長した二酸化ゲルマニウムの写真。   本件に関するお問い合わせ先   Patentix株式会社 広報担当:清水 TEL. 0775-99-1558 Email. y.shimizu@patentix.co.jp   立命館大学広報課 担当:名和 TEL. 075-813-8300 Email. r-koho@st.ritsumei.ac.jp

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