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2023年12月22日(金)に、Patentix(パテンティクス)株式会社(所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）が「経済界 Golden Pitch 2023」の「審査員特別賞」を受賞したことが発表されました。   本ビジネスアワードは、株式会社経済界が2011年より日本の起業家を発掘・支援する目的で開催しており、過去12年間の受賞者の累計調達額は180億円を超え、上場やM&Aなど、日本を代表する起業家を輩出しています。   2023年11月22日（水）、Patentix(パテンティクス)株式会社が、スタートアップ・ベンチャー企業の表彰アワード「経済界 Golden Pitch 2023」のファイナリスト10名に選出され、ファイナル審査において、共同創業者で取締役CTOである金子健太郎氏（立命館大学総合科学技術研究機構教授/RARAフェロー)が、ピッチを行いました。     Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG）材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。今後、Patentix株式会社は資金調達を行い、研究開発をより促進してまいります。   本件に関するお問い合わせ先：   Patentix株式会社 広報担当：清水 TEL. 0775-99-1558　Email. y.shimizu@patentix.co.jp  

株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社との資本業務提携に関するお知らせ ～琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進～   立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）は、株式会社クオルテック（本社：大阪府堺市、代表取締役：山口友宏、以下「クオルテック」）及び日電精密工業株式会社（本社：岐阜県大垣市、代表取締役：吉田圭二、以下「日電精密」）を引受先とする第三者割当増資を実施することとし、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとともに共同で研究開発しているGeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、資本業務提携を行いましたのでお知らせいたします。   １．資本業務提携の背景 GeO2半導体は立命館大学の金子健太郎教授の研究成果の一つであり、GeO2半導体等の最先端の超ワイドバンドギャップ半導体（以下「先端半導体」という）は、エネルギー損失の大幅な削減や小型化、新規用途(例えば、超高出力電源やモーターの作製、宇宙用パワーデバイス、耐放射線用パワーデバイス等)の開発を可能とする大変魅力的な材料として期待されています。しかしながら、先端半導体の社会実装は、数多くの困難を伴うものであり、とりわけ、技術的な課題が多く、これらを解決するには、世界最高の技術力が必要不可欠です。今回、先端半導体の社会実装のなかでも特に困難な課題を有する半導体エピウエハの早期供給に向け、世界に誇れる技術を有するトップランナー３社が連携することになりました。   ２．資本業務提携の内容 今回の資本業務提携により、クオルテックは先端半導体（GeO2半導体）の研究開発・製造・分析試験評価を行い、日電精密は、半導体製造装置及びその部品の設計・開発を行ってまいります。そして、PATENTIXとクオルテックは共同で、先端半導体（GeO2半導体）エピウエハ及び先端半導体（GeO2半導体）デバイスの研究開発を進め、PATENTIXと日電精密は共同で、半導体製造装置の開発・改良を進めてまいります。これにより、先端半導体（GeO2半導体）エピウエハの早期供給を実現してまいります。   ３．琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までをも網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。今回の資本業務提携により、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に勝てる先端半導体産業の実現に寄与します。 【Patentix株式会社の概要】 名称：Ｐａｔｅｎｔｉｘ株式会社 本社所在地：滋賀県草津市野路東１丁目１番１号　立命館大学ＢＫＣインキュベータ 代表者：代表取締役社長　衣斐 豊祐 設立：2022年12月1日 資本金：1,000千円（2023年11月末時点）   【株式会社クオルテックの概要】 名称：株式会社クオルテック 本社所在地：大阪府堺市堺区三宝町4丁230番地 代表者：代表取締役社長　山口 友宏 設立：平成5年1月18日 資本金：3億9,210万円   【日電精密工業株式会社の概要】 名称：日電精密工業株式会社 本社所在地：岐阜県大垣市三塚町336-1 代表者：代表取締役社長　吉田 圭二 設立：1949年（昭和24年） 資本金：8,880万円  

2023年11月21日及び22日、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授/RARAフェローが設立したPatentix(パテンティクス)株式会社がKSII×SMBC主催の「第３回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ」に出展し、金子健太郎教授(RARAフェロー/当社取締役CTO)が立命館大学での研究成果発信のため登壇しました。 また、KSII、SMBCによる「第３回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ」のスペシャル動画サイトにおいて、弊社のPR動画が公開されました。 このイベントは、2025年大阪・関西万博で世界から注目を集める関西の主要25の大学と大学発スタートアップが東京に集結し、2025年大阪・関西万博が目指す未来を体感する取り組みです。今回、金子教授は、「二酸化ゲルマニウム」（GeO₂）を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発」に関する成果を発表しました。     関連サイト： 第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ 第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』へ －Startups Introduction－  

― 薄膜の大面積化実現に大きく前進― 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、共同で、二酸化ゲルマニウム（GeO2）をPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法によって、4インチウエハ上に製膜することに世界で初めて成功しました。 Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG）材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化できる可能性を示す大きな成果となりました。   1.概要 ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）と比べてさらに大きなバンドギャップをもつため、r-GeO2によるトランジスタやダイオードは高耐圧、高出力、高効率（低損失）という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています。r-GeO2パワーデバイスの開発は日本が世界をリードしており、Patentix株式会社では2022年12月会社設立以降、r-GeO2の研究開発を進めております。 また、Patentix株式会社では、独自に開発したPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法を用いて製膜しており、PhantomSVDは、安全安価な原料溶液を用いることができコストパフォーマンスに優れています。また、従来の霧(ミスト)状にした溶液を用いるCVD法とは異なる原理で結晶成長が可能であり、より高品質かつより安全・安心な薄膜合成が可能となります。   ２．今回の成果及び今後の予定 立命館大学およびPatentix株式会社は、共同で、次世代半導体材料として注目される「二酸化ゲルマニウム（GeO2）」をPhantom SVD(ファントム局所的気相成長)法によって、4インチウエハ・Si(100)上に製膜することに世界で初めて成功しました。この成果は、2023年11月15日～17日に立命館大学・朱雀キャンパスで開催される半導体実装技術に関する国際学会「IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)2023」において、プラチナスポンサーである当社ブースにて発表され、二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化の可能性を示す大きな成果となりました。 今後は、GeO2薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なGeO2エピ製膜技術の開発を進めてまいります。 写真の説明：4インチウエハ上に成長した二酸化ゲルマニウムの写真。   本件に関するお問い合わせ先   Patentix株式会社 広報担当：清水 TEL. 0775-99-1558　Email. y.shimizu@patentix.co.jp   立命館大学広報課　担当：名和 TEL. 075-813-8300　Email. r-koho@st.ritsumei.ac.jp

2023年9月14日（木）、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授が設立したPatentix（パテンティクス）株式会社が、大学発スタートアップ事業展開支援プログラム「U-START UP KANSAI オープンピッチ」に登壇。NEDO賞を受賞しました。 　このピッチイベントは大阪商工会議所と関西イノベーションイニシアティブ（KSII）の主催。登壇スタートアップおよびエントリーしたスタートアップへのマッチング支援等が目的で開催されました。当日、会場となったオープンイノベーション拠点Xport（大阪市北区）では、選考を通過した大学発スタートアップ9社によるハイレベルなピッチが展開され、来場者・オンライン合わせて約200人が、ピッチを見守りました。 金子健太郎教授 　金子教授は、立命館の中核研究を担うRARAフェローを務めており、新しい半導体材料の開発と知財戦略を柱とする新しいディープテックベンチャー Patentix株式会社を2022年に創業。Patentix株式会社は2023年6月、RSIF（立命館ソーシャルインパクトファンド）から出資を受けました。今回の受賞により、Patentix株式会社はNEDO 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構からスタートアップ支援事業における優遇措置を受けることができるようになり、事業を更に加速させていくことになりました。

　　　 【世界初】Phantom SVD(ファントム局所的気相成長)法でSiCへのルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)製膜に成功 ― r-GeO2パワーデバイスの実現へ大きく前進 ― 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎研究室（金子健太郎 教授/RARAフェロー）とPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」をPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。 Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG）材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、酸化物半導体パワーデバイスの開発で問題になっていた、基板の低い熱伝導率という課題に対して放熱性に優れたSiCを用いることで解決できる可能性を示す大きな成果となりました。   1.概要 ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）と比べてさらに大きなバンドギャップをもつため、r-GeO2によるトランジスタやダイオードは高耐圧、高出力、高効率（低損失）という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています。r-GeO2パワーデバイスの開発は日本が世界をリードしており、Patentix株式会社では2022年12月会社設立以降、r-GeO2の研究開発を進めております。 また、Patentix株式会社では、独自に開発したPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法を用いて製膜しており、PhantomSVDは、安全安価な原料を用いることができコストパフォーマンスに優れています。また、従来の霧(ミスト)状にした溶液を用いるCVD法とは異なる原理で結晶成長が可能であり、より安全・安心な薄膜合成が可能となります。     ２．今回の成果及び今後の予定 立命館大学およびPatentix株式会社は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」をPhantom SVD(ファントム局所的気相成長)法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。この成果は、2023年9月18日～21日にポーランドのワルシャワで開催されている、ヨーロッパ最大の材料学会である「European Materials Research Society （E-MRS）」のFall Meetingで立命館大学大学院理工学研究科の清水悠吏（Patentix株式会社取締役兼務）により発表され、酸化物半導体パワーデバイスの開発で問題になっていた、基板の低い熱伝導率という課題に対して放熱性に優れたSiCを用いることで解決できる可能性を示す大きな成果となりました。今後は、r-GeO2薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なr-GeO2エピ製膜技術の開発を進めてまいります。       写真の説明：Si(111)/3C-SiC(111)上に成長したルチル構造r-GeO2の写真。左端の未成長部は膜厚測定のためにマスキングした跡。   構造の説明：Si(111)基板上に製膜した<111>配向3C-SiC薄膜の上にr-GeO2の製膜を行った。   本件に関するお問い合わせ先 Patentix株式会社 広報担当：清水 TEL. 0775-99-1558　Email. y.shimizu@patentix.co.jp   立命館大学広報課　担当：名和 TEL. 075-813-8300　Email. r-koho@st.ritsumei.ac.jp

立命館大学発ディープテックベンチャーのPatentix株式会社がシードラウンドで5000万円の資金調達を実施 Patentix株式会社 2023年8月31日 超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG)材料「二酸化ゲルマニウム」（GeO2）を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めるPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、シードラウンドにおいて、立命館ソーシャルインパクトファンド投資事業有限責任組合（プラスソーシャルインベストメント株式会社、本社：京都府京都市、代表取締役社長：野池雅人）を引受先とする、J-KISS型新株予約権発行により5,000万円の資金調達を実施いたしました。これにより、Patentix株式会社は、立命館大学の金子健太郎 教授 RARAフェロー  (同社取締役CTOを兼任)が開拓した新しいパワー半導体GeO2の研究開発を加速させ、究極の省エネルギー効率を示すGeO2半導体デバイスの社会実装化を進め、持続可能な低炭素社会の実現を目指します。

FASTARとは グローバル規模での社会課題解決や、成長産業の変革を目指している企業及び個人を対象に、資金調達や事業提携に向けて、担当の専門家が伴走型支援による事業計画のプラッシュアップを行う、成長加速化プログラムです。 当社は、今後の資金調達や事業提携等に向けて、FASTARを通じて、事業計画をしっかり立てて、事業計画の実行と検証を確実に行ってまいります。