Patentix株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されている、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶の合成に成功しました。大口径で高品質なr-GeO2のバルク基板の実現に向けた重要な一歩です。