日: 2025年7月23日

【お知らせ】TECHNO-FRONTIER2025出展のご案内

TECHNO-FRONTIER2025出展のご案内当社は「TEC…

成功通过离子注入在r-GeO₂半导体中赋予n型导电性～在确立r-GeO₂功率器件制造技术方面取得重大进展～

成功透過離子注入技術賦予r-GeO₂半導體n型導電特性～在確立r-GeO₂功率元件製造技術方面取得重大進展～

r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功～r-GeO2パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～

Patentix 株式会社は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸…

Successful n-type Doping of r-GeO₂ Semiconductor by Ion Implantation A Major Step Forward in Establishing r-GeO₂ Power Device Manufacturing Technology

Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く～

Patentix 株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されているルチル…

Patentix Achieves Breakthrough in Deposition of Rutile-GeO₂ Thin Film on Silicon Substrate ～A step toward the cost-effective production of r-GeO₂ power semiconductors.～