TECHNO-FRONTIER2025出展のご案内 当社は 「TECHNO-FRONTIER2025」 に出展しております。 弊社の最新情報を直接ご覧いただける貴重な機会です。 ぜひお立ち寄りください！ ⸻展示会名：TECHNO-FRONTIER2025 開催日時：7月23日（水）•24日（木） •25日（金） 10時～17時 会 場：東京ビックサイト会場（アクセス：国際展示場駅からは徒歩約7分、東京ビッグサイト駅からは徒歩約3分） パワーエレクトロニクス技術展 西4ホール、ブース番号：4ｰAA34 ⸻ご来場の際は、事前にご連絡いただけますと、よりスムーズにご案内が可能です。 皆さまとお会いできることを、心より楽しみにしております！何卒よろしくお願い申し上げます。
r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功 ～r-GeO2パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～
Patentix 株式会社は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル 型二酸化ゲルマニウム以r-GeO2 に、イオン注入プロセスによって絶縁性のr-GeO2結晶膜 に n 型の導電性を付与すること成功しました。イオン注入プロセスはドーピングの濃度・ 位置・深さ精度が高く、パワーMOSFETなどの複雑なパワーデバイスの作製が容易になる と期待されます。
Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜の作製に成功 ～次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く～
Patentix 株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されている ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜を Si 基板上に作製することに成功しました。 これは次世代パワー半導体r-GeO2基板の低コスト化を実現するための基礎となる重要な成 果です。