Author: patentix_admin

当社はこの度、令和６年度の「経済産業省　成長型中小企業等研究開発支援事業（Go-Tech事業）」に、「世界初の次世代半導体　二酸化ゲルマニウムの実用化に向けたバルク結晶開発」を研究開発題目として応募し、採択されましたのでお知らせいたします。   研究開発題目 世界初の次世代半導体　二酸化ゲルマニウムの実用化に向けたバルク結晶開発 概要 本事業は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論的に予測されている新規次世代半導体r-GeO2の早期社会実装を目指すものである。 実用化の第一段階として世界最大となるセンチメートル級の大型結晶の研究開発を事業期間内に行い、研究開発用途の二酸化ゲルマニウム基板の事業化を目指す。   近畿経済産業局　「令和6年度成長型中小企業等研究開発支援事業の採択結果について」2024年6月24日報道発表資料 https://www.kansai.meti.go.jp/3-5sangyo/sapoin/2024/saitaku.html

株式会社クオルテック、研究開発拠点を開所 低損失化、高耐圧化、小型化（省エネ・グリーン化、カーボンニュートラル）の面で優位性を持つ、新規次世代半導体材料GeO₂半導体の製膜事業の早期参入を目指す。 立命館大学発ベンチャー、Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）は、株式会社クオルテック（本社：大阪府堺市、代表取締役社長：山口友宏、以下「クオルテック」）が「滋賀県立テクノファクトリー（※1）」内に設立した、新規次世代半導体材料を使用したパワー半導体の製膜における研究開発拠点の開所式に出席しました（2024年5月10日）。   これを機にクオルテックは二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化に向けて、GeO₂薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、PATENTIXは、高品質な GeO₂ エピ製膜技術の研究開発・試作評価を促進させてまいります。 クオルテックの強みであるパワー半導体の信頼性評価技術を生かし、新規次世代半導体材料であるGeO₂半導体（※2）のエピウェハの早期供給に向け、GeO₂のルチル相層などを分析・評価する多目的Ｘ線回折装置などを導入し、製膜試作や分析・評価に取り組みます。   ※1 滋賀県立テクノファクトリー： 滋賀県が新規事業や新分野を目指す方に向けて、独創技術や新製品の研究開発を行う場として、県工業技術総合センターや滋賀県立大学などにレンタルラボ「滋賀県立テクノファクトリー」を設置し、県内産業の振興を図ることを目的に整備された賃貸型工場施設です。 所在地：滋賀県草津市野路東7丁目3-46   ※2 GeO₂半導体：(PATENTIX社ホームページより) GeO₂ は、ルチル構造、α石英構造、CaCl2 タイプ、α-PbO2 タイプ、pyriteタイプの5つの結晶多型をもちます。その中でもルチル構造r-GeO₂ は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論予測されている事から次世代の高性能Normally-off型MOSFET等への応用が期待されています。

平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。 誠に勝手ながら、以下の期間をゴールデンウィーク休業とさせていただきます。 期間中は何かとご迷惑をおかけしますが、何卒ご了承の程宜しくお願い申し上げます。   【ゴールデンウィーク休業】　2024年4月27日（土）～2024年5月6日（月）   なお、2024年5月7日（火）より通常通り営業いたします。 ご迷惑をお掛けいたしますが、何卒ご理解賜りますようよろしくお願い申し上げます。

立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社 （本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、このたび技術情報管理認証制度（TICS）の認証を取得いたしました。弊社は、技術情報管理認証の取得に向けて、以下のような取り組みを行っています。 技術情報の分類・管理方法の策定 技術情報の漏えい防止・復旧対策の実施 技術情報の取扱いに関する教育・研修の実施 技術情報の管理状況の監査・改善の実施 技術情報管理認証の取得は、弊社の事業活動における情報セキュリティの取り組みの成果を示すものであり、今後も、弊社は技術情報の管理に努めてまいります。   技術情報管理認証制度（TICS）とは 技術情報管理認証制度（TICS）は、国が認定した認証機関が、企業の情報セキュリティ対策を産業競争力強化法に規定した「守り方」への適合性を評価認証する制度です。 これにより、技術情報の漏えいリスクを管理し、経済的損失や信頼の失墜を防ぐことが目的とされています。   　　　　　　  

日清紡マイクロデバイス株式会社、琵琶湖半導体構想(案)に参画   立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社 （本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」 ）は、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授/RARAフェローとともに共同で研究開発しているGeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進しています。この度、琵琶湖半導体構想（案）に「日清紡マイクロデバイス株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長：田路悟、以下、日清紡マイクロデバイス）」 が参画を表明しましたので、お知らせいたします。今回の参画により、日本発で世界にリードできる最先端半導体材料（GeO2半導体等）の社会実装に向け、日清紡マイクロデバイスの協力を得て、研究開発及び企業連携をより一層推進してまいります。 ※琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的 条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までを も網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。2023年12月14日のプレスリリースでは、株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社と、PATENTIXとがそれぞれ資本業務提携を行いました。引き続き、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、 一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶 湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に 勝てる先端半導体産業の実現に寄与してまいります。

株式会社アイシン、琵琶湖半導体構想（案）に参画   立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）は、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとともに共同で研究開発しているGeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進しています。この度、琵琶湖半導体構想（案）に株式会社アイシン（本社：愛知県刈谷市、取締役社長：吉田 守孝、以下「アイシン」）が参画を表明しましたので、お知らせいたします。今回の参画により、日本発で世界にリードできる最先端半導体材料（GeO2半導体等）の社会実装に向け、アイシンの協力を得て、研究開発及び企業連携をより一層推進してまいります。 ※琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までをも網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。2023年12月14日のプレスリリースでは、株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社と、PATENTIXとがそれぞれ資本業務提携を行いました。引き続き、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に勝てる先端半導体産業の実現に寄与してまいります。  

P&Q_酸化ガリウムダイヤモンド半導体特許プレスリリース20240214P&Q_酸化ガリウムダイヤモンド半導体特許プレスリリース20240214

株式会社東レリサーチセンター、琵琶湖半導体構想(案)に参画   立命館大学発ベンチャーの Patentix 株式会社(本社:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐、以下「PATENTIX」)は、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとともに共同で研究開発している GeO2半導体エピウエハの早期供給に向け、琵琶湖半導体構想の可能性を掲げ、企業連携を促進しています。この度、琵琶湖半導体構想(案)に株式会社東レリサーチセンター(本社:東京都中央区、代表取締役:吉川正信、以下「TRC」)が参画を表明しましたので、お知らせいたします。今回の参画により、日本発で世界にリードできる最先端半導体材料(GeO2半導体等)の社会実装に向け、TRCの協力を得て、研究開発及び企業連携をより一層推進してまいります。   ※琵琶湖半導体構想の可能性 水資源が豊富な琵琶湖を中心とした広域交通基盤と半導体産業にかかわる恵まれた地理的条件を利用して、最先端半導体材料の研究開発から知財・経営戦略に立った社会実装までをも網羅する国際的な半導体産業拠点を作る展開を進めています。2023 年 12 月 14 日のプレスリリースでは、株式会社クオルテック及び日電精密工業株式会社と、PATENTIX とがそれぞれ資本業務提携を行いました。引き続き、最先端半導体材料の研究開発から製造まで、一気通貫で推し進め、先端半導体エピウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想の推進とともに、京都府が進める半導体産業振興施策への参加により、世界に勝てる先端半導体産業の実現に寄与してまいります。        

【世界初】新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体デバイスの開発に成功 ―r-GeO2パワーデバイスの実現に大きく前進―   立命館大学総合科学技術研究機構 金子健太郎 教授/RARAフェロー(Patentix社CTO兼務)と、立命館大学発のディープテックベンチャーPatentix株式会社 (代表取締役社長：衣斐豊祐)、京都大学院工学研究科 高根倫史 博士後期課程学生、田中勝久 同教授、物質・材料研究機構（NIMS）大島孝仁 主任研究員、原田尚之 同独立研究者は共同で、次世代半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)系混晶半導体デバイスの開発に世界で初めて成功しました。   Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG）材料である二酸化ゲルマニウム(GeO2)を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、酸化物半導体パワーデバイスの社会実装を大きく前進させるものです。     * 発表概要 r-GeO2は、4.6eVの大きなバンドギャップをもつと同時に、pn両型伝導が可能であるという理論的な予測がなされており、さらにバルク結晶の成長が可能である事から、低損失かつ高耐圧のパワーデバイスを実現する次世代パワー半導体材料として注目を集めています。 本研究では、r-GexSn1-xO2混晶半導体薄膜を用いたSBD（ショットキーバリアダイオード）の試作を行い、電流-電圧測定等の電気特性評価を行ったところ、ショットキー特性を示す事を、r-GeO2系混晶として世界で初めて確認しました。今後、パワーデバイスへの応用を目指した、r-GeO2をはじめとするルチル型酸化物半導体に関する研究・開発のさらなる発展が期待されます。   社会的重要性 Ga2O3やダイヤモンド、AlN、BNなどのUWBG半導体は大きな絶縁破壊電界値をもつため、低損失かつ高耐圧のパワーデバイスの実現が期待されています。しかしながら、UWBG半導体は、その巨大なバンドギャップのためp型とn型のキャリアタイプ制御が困難であり、さらにホモエピタキシャル成長用の基板が高価であることが、社会実装可能なデバイスの開発や応用における大きな障壁となっています。 近年、新規UWBG半導体としてルチル型構造のGeO2（r-GeO2）が、これらの問題を克服する新たなパワー半導体材料として大きな注目を集めています。電力変換損失が小さい高性能なパワー半導体の登場は、AIやスマート機器の普及にともなう電力消費の急増が著しい現代社会において大変重要です。電気自動車（EV）や電力システム等の大幅な省エネ・小型化への実現が期待され、持続可能で環境にやさしい社会インフラの実現に本研究は大きく貢献できると期待されます。     今回の成果及び今後の予定   本成果は下記内容でApplied Physics Expressにて掲載予定です。 “Rutile-type GexSn1-xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device…