革新的な技術開発を手掛けるPatentix（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣…
r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功 ～r-GeO2パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～
Patentix 株式会社は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル 型二酸…
Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜の作製に成功 ～次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く～
Patentix 株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されている ルチル…
r-GeO2半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認 ～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～
Patentix 株式会社では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム…