投稿者: patentix

年末年始休業のお知らせ

平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。誠に勝手ながら、以下の期間を年…

【お知らせ】「NBCI Start-up Award」最終ピッチへ進出決定！

当社はNBCI Start-up Award ピッチコンテストにおいて、厳正なる審…

成功通过离子注入在r-GeO₂半导体中赋予n型导电性～在确立r-GeO₂功率器件制造技术方面取得重大进展～

成功透過離子注入技術賦予r-GeO₂半導體n型導電特性～在確立r-GeO₂功率元件製造技術方面取得重大進展～

Received NEDO Award for “U-START UP KANSAI Open Pitch”

On Thursday, September 14, 2023, Patenti…

World’s first successful deposition of rutile-structured germanium dioxide (r-GeO₂) on SiC by PhantomSVD（Phantom spatial vapor deposition）method.

　　　 Successful crystal growth of r-GeO2 t…

Press Release (Notice of Fund Raising)

Patentix Inc. August 31, 2023 The Patenti…

ホームページを公開しました。

The website is now available.

中小機構によるアクセラレーション事業「FASTAR」に採択されました。

FASTARとはグローバル規模での社会課題解決や、成長産業の変革を目指している企…