投稿者: patentix_admin

r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功～r-GeO2パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～

Patentix 株式会社は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸…

Successful n-type Doping of r-GeO₂ Semiconductor by Ion Implantation A Major Step Forward in Establishing r-GeO₂ Power Device Manufacturing Technology

Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く～

Patentix 株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されているルチル…

Patentix Achieves Breakthrough in Deposition of Rutile-GeO₂ Thin Film on Silicon Substrate ～A step toward the cost-effective production of r-GeO₂ power semiconductors.～

Electrical Properties Suggest Potential for p-Type Conduction in r-GeO₂ Semiconductor ~ Planning to Verify p-Type Conductivity Through Multiple Evaluation Methods ~

Patentix Inc. has obtained results sugges…

r-GeO2半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～

Patentix 株式会社では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム…

Patentix Inc. Succeeds in Synthesizing Bulk Rutile Germanium Dioxide Crystals

ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功

Patentix株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されている、ルチル型…

【実装フェスタ関西2025にてポスター発表のお知らせ】

このたび当社は、2025年7月3日（木）・4日（金）にパナソニックリゾート大阪で開…

【『技術イノベーションフォーラム in KRPフェス2025』ポスター発表のお知らせ】

2025年7月31日（木）に京都リサーチパークで開催される「技術イノベーションフ…