投稿者: patentix_admin

【登壇情報】「Taiwan StartupEcosystem Networking」(8/22)

来る8月22日（金）、京都経済センターにて、台湾政府のスタートアップ支援プロジェク…

夏季休業のお知らせ

平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。誠に勝手ながら、以下の期間を夏…

Patentix、日電精密工業との協業により、新製品の有償サンプル出荷を開始製造拠点を日電精密工業神戸工場に定め、高品質な量産化に向けた第一歩へ

革新的な技術開発を手掛けるPatentix（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣…

【お知らせ】TECHNO-FRONTIER2025出展のご案内

TECHNO-FRONTIER2025出展のご案内当社は「TEC…

r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功～r-GeO2パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～

Patentix 株式会社は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸…

Successful n-type Doping of r-GeO₂ Semiconductor by Ion Implantation A Major Step Forward in Establishing r-GeO₂ Power Device Manufacturing Technology

Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く～

Patentix 株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されているルチル…

Patentix Achieves Breakthrough in Deposition of Rutile-GeO₂ Thin Film on Silicon Substrate ～A step toward the cost-effective production of r-GeO₂ power semiconductors.～

Electrical Properties Suggest Potential for p-Type Conduction in r-GeO₂ Semiconductor ~ Planning to Verify p-Type Conductivity Through Multiple Evaluation Methods ~

Patentix Inc. has obtained results sugges…

r-GeO2半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～

Patentix 株式会社では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム…